Arbeitsspeicher: Unterschied zwischen den Versionen

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== Charakteristik ==
== Charakteristik ==
FIONNS PART
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Jede Speicherzelle kann über ihre Speicheradresse direkt angesprochen werden, der Speicher muss nicht sequenziell oder in Blöcken ausgelesen werden (bei großen Speicherbausteinen findet die Adressierung jedoch nicht über die einzelnen Zellen statt, sondern über ein Wort, dessen Breite von der Speicherarchitektur abhängt). Das unterscheidet den RAM von blockweise zu beschreibenden Speichern, den so genannten Flash-Speichern.
Random Access memory (RAM) wird heute immer im Sinne von Read-Write Random Access Memory (RWRAM) verwendet. Der Begriffsinhalt des Speichers mit wahlfreiem Zugriff trifft auch auf andere Speicherformen zu, insbesondere Speicherbausteine vom Typ Read Only Memory (ROM, Nur-Lese-Speicher). Da die Bezeichnung RAM missverständlich ist, wurde zeitweise versucht, den Begriff Read-Write Memory (RWM) zu etablieren, der sich jedoch nicht durchsetzen konnte.


== Geschichte ==
== Geschichte ==

Version vom 4. Februar 2021, 13:35 Uhr

  • Der Arbeitsspeicher enthält die benötigten Daten der aktuell ausgeführten Programme bzw. Programmteile.
  • Da die CPU direkt auf den Arbeitsspeicher zugreift beeinflusst der Arbeitsspeicher die Leistung des ganzen PCs.

Charakteristik

FIONNS PART

Geschichte

  • Zu Anfang hatten Computer keine internen Arbeitsspeicher.
  • Zu der Zeit wurden Arbeitsschritte auf Floppy Discs und Lochkarten gespeichert.
  • Die erste Form von Arbeitsspeicher wurde in 1947 erfunden und benutzte eine Kathodenstrahlröhre.
  • Auch in 1947 erfunden wurde der Magnetkernspeicher

Funktionsweise des Arbeitsspeichers

RAFI PART

Multi Channel

Single Channel

  • kann mit 1 oder 3 DIMM benutzt werden
  • bietet einkanalige Bandbreiten Operationen

Dual Channel

  • Gleiche Speichergröße
  • Abgestimmte DIMM-Konfiguration
  • Symmetrischen Speichersteckplätze
  • wenn nicht erfüllt geht es in den Single Channel Modus
  • Geschwindigkeit richtet sich nach dem langsamsten Modul was eingesteckt wird

Triple Channel

  • reduziert die Gesamtspeicher Latenz durch sequenziellen Zugriff
  • Daten werden in einem abwechselnden Muster durch die Speichermodule verteilt
  • wird nur von wenigen Prozessoren unterstützt
  • wurde ab der nächsten Generation von Quad Channel abgelöst
  • gleiche Anforderungen wie Dual Channel mit 3 statt 2 DIMMs
  • nur bei Intel

Quad Channel

  • aktiviert, wenn vier (oder ein Vielfaches von vier) DIMMs in Kapazität und Geschwindigkeit identisch sind
  • doppelte Transferrate von Dual Channel
  • gleiche Anforderungen wie Dual Channel mit 4 statt 2 DIMMs
  • erstmals 2010 von AMD veröffentlicht 2011 dann auch von Intel

Flex Modus

  • führt zu Dual- und Single Channel-Betrieb auf gesamten Speicher
  • es werden ungleiche DIMMs verbaut
  • von der größeren wird so viel Speicher wie die andere DIMM hat im Dual Channel Modus verwendet
  • der Rest im Single Channel Modus