Einfach erklärt: Was ist RAM?

Die Abkürzung RAM steht für Random-Access Memory und ist auf deutsch besser bekannt als Arbeitsspeicher.
Der Arbeitsspeicher ist ein kurzzeitiger Speicher, in dem Windows alle laufenden Prozesse und Programme
zwischenspeichert. Lesen Sie diesen Artikel gerade im Browser, belegt Ihr Browser ebenfalls etwas Arbeitsspeicher.
Nur so kann er laufen.
Seit einigen Jahren wird der klassische DDR3-RAM durch DDR4-RAM ersetzt. DDR4 bringt einige Vorteile mit sich, ist
momentan jedoch noch etwas teurer. Hier finden Sie einen Vergleich zwischen DDR3 und DDR4.

Arbeitsspeichertypen

Man unterscheidet meist zwischen zwei großen Kategorien von Arbeitsspeichern:

Dynamische Speicher

oder DRAM (Dynamic Random Access Memory): Sie sind preiswert und werden
hauptsächlich für den Zentralspeicher des Computers verwendet.

Statische Speicher

oder SRAM (Static Random Access Memory): Sie sind schnell und teuer und
werden insbesondere für die Cache-Speicher des Prozessors verwendet.

Funktionsweise des Arbeitsspeichers

Der Arbeitsspeicher besteht aus hunderttausenden kleinen Kondensatoren, die Ladungen speichern. Wenn er geladen ist, entspricht der logische * * Zustand des Kondensators 1, im gegenteiligen Fall ist er gleich 0, was bedeutet, dass jeder Kondensator ein Bit des Speichers darstellt.

Dieser Artikel|behandelt den Chip. Für den handelsüblichen Arbeitsspeicher siehe Speichermodul .
Zum Musikalbum von Daft Punk siehe Random Access Memories.

Random-Access Memory, abgekürzt RAM, ist ein der besonders bei Computer als
Verwendung findet, meist in Form von mehreren auf einem Speichermodul . Die gängigsten Formen
gehören zu den . RAM wird als integrierter Schaltkreis hauptsächlich in Silizium -Technologie realisiert und in
allen Arten von elektronischen Geräten eingesetzt.
DRAM-Chip U61000D mit 1 * MiBit.

Charakteristik

Die Bezeichnung des Speichertyps als „wahlfrei“ bedeutet in diesem Zusammenhang, dass jede Speicherzelle über ihre Speicheradresse direkt angesprochen werden kann.
Der Speicher muss also nicht sequenziell oder in Blöcken ausgelesen werden.
Bei großen Speicherbausteinen erfolgt die Adressierung Rechnerarchitektur jedoch nicht über die einzelnen Zellen, sondern über ein Wort Theoretische Informatik Wort , dessen Breite von der Speicherarchitektur abhängt.
Das unterscheidet das RAM von blockweise zu beschreibenden Speichern, den sogenannten Flash-Speicher.

Der Begriff Random-Access Memory wird heute immer im Sinne von „Schreib-lese-RAM“ lang|read-write random-access memory verwendet.
Es gibt weitere Speicherarten mit wahlfreiem Zugriff, insbesondere Nur-Lese-Speicherbausteine Festwertspeicher, ROM . Da die Bezeichnung RAM missverständlich ist, wurde zeitweise versucht, den Namen lang|en|read-write memory (RWM, Schreib-Lese-Speicher) zu etablieren, der sich jedoch nicht durchsetzen konnte.

Geschichte

Die Entstehung des Begriffs geht in die Anfangszeit der modernen Computer zurück, bei denen alle Daten auf sequentiell zu lesenden Speicherformen wie Lochkarte oder Magnetbändern vorlagen, die zur Verarbeitung in schnelle Register Prozessor Rechenregister geladen wurden.
Um Zwischenergebnisse schneller bereitzuhalten, wurden zeitweise Verzögerungsleitung für Zwischenwerte eingesetzt, bis dann die Ferritkernspeicher eingeführt wurden.
Diese beschreibbaren Speicher hatten schon die gleiche Form des Matrixzugriffes wie heutige RAMs.
Zu jener Zeit waren die schnellen Speichertypen alle beschreibbar und die wesentliche Neuerung bestand im wahlfreien Zugriff der magnetischen Kernspeicher und der nachfolgend auf Halbleiterspeichern aufsetzenden RAM-Bausteine.

Ansteuerung von RAM-Chips

Je nach Typ von RAM-Baustein erfolgt die Ansteuerung synchron zu einem Taktsignal oder asynchron ohne Takt.
Der wesentliche Unterschied besteht darin, dass bei der asynchronen Variante die Daten erst nach einer bestimmten, bausteinabhängigen Laufzeit zur Verfügung stehen bzw.
geschrieben sind.
Diese, unter anderem materialabhängigen, zeitlichen Parameter weisen Exemplarstreuung en auf und sind von verschiedenen Einflüssen abhängig, weshalb bei asynchronen Speichern der maximale Durchsatz stärker limitiert ist als bei synchronen Speicheransteuerungen.
Bei synchronen Speichern wird die zeitliche Ausrichtung der Steuersignale durch ein Taktsignal festgelegt, wodurch sich deutlich höhere Durchsatzraten ergeben.

Synchrone RAMs können sowohl statische als auch dynamische RAMs sein (siehe unten). Beispiele für synchrone SRAMs sind Burst-SRAMs oder ZBTRAMs.

als externer Datenspeicher Anwendung finden. Bei den dynamischen RAMs sind die seit Ende der 1990er Jahre üblichen synchronen SDR-SDRAM und deren Nachfolger, die DDR-SDRAM , als Beispiel zu nennen, während die davor üblichen DRAMs wie [[Extended Data Output Random Access MemoryEDO-DRAMs asynchrone DRAM-Bausteine darstellen.

Ein RAM-Chip weist mindestens eine bidirektionale (nämlich durch den R/W-Pin gesteuerte) Datenleitung auf.
Oft findet man auch 4, 8 oder 16 Datenpins, je nach Auslegung. Die Kapazität eines Chips in Bits ergibt sich dann durch die Datenbusbreite mal der Anzahl der möglichen Adresswerte .

Die Versorgungsspannung von JEDEC SDRAM zeigt folgende Tabelle:

Typ	Spannung (V)
SDRAM	3,3
DDR-SDRAM	2,5
DDR2-SDRAM	1,8
DDR3-SDRAM	1,5
DDR3-SDRAM LV	1,25
DDR4-SDRAM	1,20
DDR4-SDRAM LV	1,05

Arten von RAM

Es gibt verschiedene technische Umsetzungen von RAMs. Die heute gängigsten werden
hauptsächlich in Computern eingesetzt und sind „flüchtig“ (auch: volatil), das heißt, die
gespeicherten Daten gehen nach Abschaltung der Stromzufuhr verloren.

Es gibt allerdings RAM-

Typen, die ihre Information auch ohne Stromzufuhr erhalten (nicht volatil). Diese werden NVRAM
genannt. Die folgende Auflistung ist nach dem grundlegenden Funktionsprinzip geordnet:

SPD = Serial Presence Detect

Random-Access Memory (RAM) flüchtiges (volatiles) RAM

Static random-access memory (SRAM)
Dynamic Random Access Memory (DRAM)
Synchronous Dynamic RAM  (SDRAM, DDR-SDRAM usw.)
Pseudostatisches RAM  (PSRAM)
Nichtflüchtiges RAM (NVRAM)

Ferroelectric Random Access Memory (FRAM, FeRAM)
MRAM|Magnetisches RAM (MRAM),
Phase-change Random Access Memory|Phasenwechsel-RAM (PRAM, PCRAM)
Resistives RAM (RRAM, ReRAM)

Statisches RAM (SRAM)

Statisches RAM (SRAM) bezeichnet meist kleinere elektronische Speicherbausteine im Bereich bis zu einigen MiBit. Als Besonderheit behalten sie ihren Speicherinhalt, welcher in gespeichert wird, ohne laufende Auffrischungszyklen – es genügt das Anliegen einer Versorgungsspannung. Von diesem Umstand leitet sich auch die Bezeichnung ab; sie gilt historisch auch für , der selbst spannungslos über Jahre seinen Zustand nicht ändert.

SRAM benötigt deutlich mehr Bauelemente (und Chipfläche) als DRAM (s. u.) – konkret vier bis sechs Transistoren je Speicherbit gegenüber einem (plus einem Speicherkondensator) in einer DRAM-Zelle – und ist daher für große Speichermengen zu teuer. Es bietet jedoch sehr kurze Zugriffszeiten und benötigt keine Refresh-Zyklen wie bei DRAM.

Anwendungen liegen beispielsweise in Computer als Cache und bei Mikrocontroller als Arbeitsspeicher. Sein Inhalt ist flüchtig, das heißt die gespeicherte Information geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren. In Kombination mit einer Pufferbatterie kann aus dem statischen RAM eine spezielle Form von nicht flüchtigem Speicher NVRAM realisiert werden, da SRAM-Zellen ohne Zugriffzyklen nur einen sehr geringen Leistungsbedarf aufweisen und die Pufferbatterie über mehrere Jahre den Dateninhalt im SRAM halten kann.

Dynamisches RAM (DRAM)

Dynamisches RAM (DRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein, der hauptsächlich in n als eingesetzt wird.
Sein Inhalt ist flüchtig (volatil), das heißt die gespeicherte geht beim Abschalten der Betriebsspannung verloren. Bei DRAM geht die Information jedoch selbst bei aufrechterhaltener Betriebsspannung (!) rasch verloren und muss deshalb regelmäßig werden – daher die Namensgebung „dynamisch“.

Die Informationen werden in Form des Ladezustandes eines (Elektrotechnik)|Kondensators]] gespeichert – beispielsweise 'geladen' = '1', 'entladen' = '0'. Ihr sehr einfacher Aufbau macht die Speicherzelle zwar sehr klein (6 bis 10 F²), allerdings entlädt sich der Kondensator mit seiner geringen Kapazität durch die auftretenden Leckströme schnell, und der Informationsinhalt geht verloren.
Daher müssen die Speicherzellen regelmäßig wiederaufgefrischt werden. DRAM-Module mit eingebauter Steuerschaltung zum Auffrischen können sich nach außen hin wie SRAM verhalten.

Im Vergleich zum SRAM ist DRAM wesentlich preiswerter pro Bit, weshalb man ihn vor allem dort verwendet, wo eine große Ram-Menge benötigt wird, beispielsweise für den Arbeitsspeicher eines Computers.

PCRAM, PRAM

RAM (PRAM) befindet sich u. a. bei noch in der Entwicklung.
Er soll als Ersatz von S- und DRAM dienen und Vorteile gegenüber -Speicher haben, zum Beispiel

sollen Schreibzugriffe wesentlich schneller sein und die Anzahl der Schreib-/Lese-Zyklen soll um

ein Vielfaches höher sein als NOR-Flash-Speicher. Dabei belegt er weniger Fläche und ist einfacher in der Herstellung.

nichtflüchtiges RAM (NVRAM)

NVRAM ist ein nichtflüchtiger Datenspeicher der auf RAM basiert und dessen Dateninhalt ohne externe Energieversorgung erhalten bleibt.

Synchroner dynamischer RAM (SDRAM)

SDRAM ist der mit am häufigsten genutzte Arbeitsspeicher bzw. Hauptspeicher in Computersystemen. Zudem hat SDRAM hat die Eigenschaft, dass er seine Schreib- und Lesezugriffe am Systemtakt orientiert. Das bedeutet, er arbeitet synchron mit dem Speicherbus. Die synchrone Arbeitsweise vereinfacht und beschleunigt die Ansteuerung des Speichers. SDRAM kann programmiert und so die Art des Zugriffs gesteuert werden. Auf die Weise lässt sich SDRAM an jede Anwendung anpassen.

Pseudostatisches RAM (PSRAM)

Der Pseudostatische RAM ist ein flüchtiger RAM.
Ein PSRAM besteht aus einem DRAM mit eingebauter Steuerschaltung für das nötige Auffrischen der Speicherzellen und einer Schaltung zur Umsetzung der SRAM-Schnittstelle auf eine DRAM-Schnittstelle.
PSRAM kombiniert die Vorteile des geringen Flächenbedarfs des DRAMs mit der relativ einfachen Ansteuerung eines SRAMs.

Ferroelectric RAM (FRAM oder auch FeRAM)

Der Speicher- und Löschvorgang des FRAMs wird durch eine Polarisationsänderung in einer ferroelektrischen Schicht realisiert.